第三代TLC 3D NAND闪存
存储容量
领先的I/O速度
YMTC X2-9060采用创新的Xtacking® 2.0 3D NAND闪存技术,实现行业领先的、高达1600MT/s*的I/O速度。
持续提升的读写性能
YMTC X2-9060存储密度高达8.30Gb/mm²*,单颗芯片容量可达512Gb*。相同的单位面积和封装尺寸下,提供两倍于第二代TLC 3D NAND闪存颗粒的存储密度,使产品设计更加灵活、容易。
非凡的功效表现
得益于长江存储第三代芯片设计和工艺的改良与算法的优化,YMTC X2-9060与第二代TLC 3D NAND闪存颗粒相比,读写性能提升20%*,同时功耗降低25%*。
增强的高可靠性
YMTC X2-9060通过长江存储严苛的检测标准和缜密的验证体系,保障数据存储安全可靠。
*注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果,产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考,请以实际销售实物为准。
产品型号 | X2-9060 |
产品架构 | 晶栈2.0(Xtacking® 2.0) |
存储单元类型 | TLC |
容量 | 512Gb |
NAND闪存接口 | ONFI 4.2 |
最高IO速度 | 1.6GT/s |
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