第三代TLC 3D NAND闪存
X2-9060
基于Xtacking® 2.0技术的长江存储第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。
YMTC X2-9060进一步释放了3D NAND闪存潜能，具备行业领先的存储密度、I/O传输速度及更优化的产品功耗。可广泛应用于企业级、嵌入式及消费级等存储产品中，以满足云计算、大数据、移动设备、个人消费终端等多场景下的存储需求。
存储容量
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咨询电话+86 27 65320000
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邮箱地址YMTC@ymtc.com
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产品详情
领先的I/O速度
YMTC X2-9060采用创新的Xtacking® 2.0 3D NAND闪存技术，实现行业领先的、高达1600MT/s*的I/O速度。
持续提升的读写性能
YMTC X2-9060存储密度高达8.30Gb/mm²*，单颗芯片容量可达512Gb*。相同的单位面积和封装尺寸下，提供两倍于第二代TLC 3D NAND闪存颗粒的存储密度，使产品设计更加灵活、容易。
非凡的功效表现
得益于长江存储第三代芯片设计和工艺的改良与算法的优化，YMTC X2-9060与第二代TLC 3D NAND闪存颗粒相比，读写性能提升20%*，同时功耗降低25%*。
增强的高可靠性
YMTC X2-9060通过长江存储严苛的检测标准和缜密的验证体系，保障数据存储安全可靠。
*注释：本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果，产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考，请以实际销售实物为准。
技术规格
| 产品型号 | X2-9060 | |
|
基本信息 |
ONFI版本 |
4.1 |
|
容量 |
512Gb | |
| 面数量 | 4 | |
| 页大小 | 16KB+2048B | |
| 每块的页数量 | 2304(36MB) | |
| 每面的可用块数量 | 495 | |
| 运行环境 | VCC(V) | 2.35~3.6 |
| VCCQ(V) | 1.14~1.26 | |
| 运行环境温度(℃) | 0~70 | |
| 性能 | 最大NV-DDR3速度-BGA(MT/s) | 1600 (4-die/CH) |
| 典型写入操作时间(us, TLC/SLC) | 620 / 180 | |
| 典型擦除操作时间(ms, TLC/SLC) | 9/4 | |
| 最大擦除操作时间(ms, TLC/SLC) | 20/18 | |
| 典型读操作时间(us, TLC/SLC) | 46 / 26 | |
| 可靠性 | 擦写周期(TLC/SLC) | 3,000 / 60,000 |
| 数据保持度@100% 周期(TLC/SLC) | 1 年@40°C |
注释：本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果
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