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第三代TLC 3D NAND闪存

X2-9060
基于Xtacking® 2.0技术的长江存储第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。 YMTC X2-9060进一步释放了3D NAND闪存潜能,具备行业领先的存储密度、I/O传输速度及更优化的产品功耗。可广泛应用于企业级、嵌入式及消费级等存储产品中,以满足云计算、大数据、移动设备、个人消费终端等多场景下的存储需求。

存储容量

512Gb
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产品详情

领先的I/O速度

YMTC X2-9060采用创新的Xtacking® 2.0 3D NAND闪存技术,实现行业领先的、高达1600MT/s*的I/O速度。

持续提升的读写性能

YMTC X2-9060存储密度高达8.30Gb/mm²*,单颗芯片容量可达512Gb*。相同的单位面积和封装尺寸下,提供两倍于第二代TLC 3D NAND闪存颗粒的存储密度,使产品设计更加灵活、容易。

非凡的功效表现

得益于长江存储第三代芯片设计和工艺的改良与算法的优化,YMTC X2-9060与第二代TLC 3D NAND闪存颗粒相比,读写性能提升20%*,同时功耗降低25%*。

增强的高可靠性

YMTC X2-9060通过长江存储严苛的检测标准和缜密的验证体系,保障数据存储安全可靠。

 

*注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果,产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考,请以实际销售实物为准。

 

相关资料
技术规格
 产品型号X2-9060

产品架构

晶栈2.0(Xtacking® 2.0)

存储单元类型

TLC
容量512Gb
NAND闪存接口 ONFI 4.2
 最高IO速度1.6GT/s
注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果

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