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公司愿景
成为存储技术的领先者
全球半导体产业的核心价值贡献者
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长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉, 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒, 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。

16年

集成电路

9年

3D NAND 研发制造

我们的创新历程

2014

3D NAND闪存项目正式启动

2015

9层3D NAND闪存测试芯片通过电气性能验证

2016

第一代3D NAND 闪存测试芯片设计完成
长江存储科技有限责任公司成立
长江存储1期工厂破土动工

2017

第一代3D NAND 闪存设计完成并实现首次流片
长江存储1期工厂实现提前封顶

2018

第二代3D NAND闪存实现首次流片
在全球闪存峰会(FMS)上发布Xtacking® 架构并获得Best of Show奖项
第一代3D NAND闪存实现量产

2019

第二代3D NAND闪存实现量产
第三代 TLC 3D NAND(X2-9060)设计完成,并实现首次流片

2020

第三代 QLC 3D NAND(X2-6070) 研发成功
致钛系列消费级SSD上市
eMMC/UFS嵌入式存储通过客户验证

2021

第三代 TLC/QLC NAND(X2-9060/ X2-6070)量产
eMMC/UFS量产出货
长江存储1期工厂实现满产

2022

基于第三代 NAND的系统解决方案上市

我们的使命:
用芯书写记忆,让世间美好长存
致力于成为存储技术的领先者,全球半导体产业的核心价值贡献者
2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新晶栈 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月,长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存,拥有发布之时最高的IO速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。

截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心,全球共有员工10000余人,其中研发工程技术人员6000余人。通过不懈努力和技术创新,致力于成为存储技术的领先者,全球半导体产业的核心价值贡献者。
*含武汉新芯数据
亿元

总投资额

+

专利申请

+

工程师投入

专利积累

超过

专利申请

包含

国际专利

包含

%

发明专利

每年新增

专利申请